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一文通解基于VLT技术新型DRAM内存单元_凤凰体育首页


本文摘要:水平层栅流体(VerticalLayeredThyristor;VLT)是Kilopass开发的新内存设备,需要大大降低动态随机访问内存(DRAM)的成本和复杂性。

水平层栅流体(VerticalLayeredThyristor;VLT)是Kilopass开发的新内存设备,需要大大降低动态随机访问内存(DRAM)的成本和复杂性。这是需要创建操作员的静态内存单位。与现有晶圆厂兼容的生产设备也需要新的材料或工艺。

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VLT内存阵列比普通DRAM最多节省45%的成本。这是因为可以驱动更小的VLT内存设备和更长的行和列,大大提高内存排列效率。

但是,为了充分利用VLT的优势,必须在按照行业标准发展的成熟期DRAM市场上设计和生产,才能确保与不同供应商的内存产品的兼容性。目前,基于VLT技术的内存与现有第4代低功耗2倍数据速率(LPDDR4)规范基本不兼容。

VLT内存银行(bank)模拟现有DRAM的银行,并与该频率兼容。设计VLT电路时,设计师可以自由选择连接的标准DDR控制器或低成本的简化控制器。如果用于标准控制器,则不需要创建VLT内存,因此不会复盖记录序列。

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系统的其馀部分不认为VLTDRAM是标准化的DRAM,因此需要转换。为了说明现有DRAM内存单元如何用于VLT内存单元结构LPDDR4内存,首先总结了现有DRAM和LPDDR4的工作方式。

熟悉DRAM的人可以理解它,但实际上有一些差异。这里重新定义一些指南和术语,便于解释。

DRAM操作的许多方面都不同于容量存储设备。第一,电容的泄漏特性引起了创造的必要性。其次,存储设备的基本工作方式之一是负载,不影响内存配置方式的其他方面。

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图1显示了容量存储设备的原理图,左图和右图分别显示了负载1和负载0。电路使用电荷分布(chargesharing)检测内存位值。

位线(bitline)首先用0到1之间的电压值预先充电,然后关闭读出晶体管,自由选择内存设备,使电荷能够在位线和内存单元之间流动。如果位线电压低于内存设备,则负电荷不会从内存单位进入在线状态。

而且,如果位线的电压高于内存,则负电荷不会从位线流入内存设备。图1:传统电容式DRAM存储器设备的电荷分配原理(图中绿色箭头右边的图是电流,忽略负电荷流的方向),这些电荷传输通过转换在线电压,使用检测和锁定获得最终负载值。但是,在存储容量中损失或获得的电荷改变了节点的原始电荷,这意味着加载过程具有破坏性。因此,必须使用返回工作者,以便在每次加载后完全恢复内存设备的电荷。


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